碳化硅 (SiC)

碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導體組別。與常用硅(Si)器件相比,它們為高壓功率半導體提供了許多有吸引力的特性。特別是,碳化硅具備更高的擊穿電場強度和導熱率,可以制造出遠超相應硅基的器件。這樣您就可以在設計中實現原本無法企及的效率水平。

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有獎活動

活動時間:即日起——2019年10月23日

參與方式
1. 閱讀頁面碳化硅相關內容;
2. 點擊下方“我要答題”按鈕,答題并提交答題信息表單即可;
3. 答對3題及以上網友將有機會獲得50元京東卡1張,活動結束后統一發獎!

溫馨提示
1. 每個賬號僅有1次獲獎機會;
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產品介紹

碳化硅(SiC)二極管和晶體管是現代電力電子解決方案和創新電力電子解決方案的關鍵組件,旨在實現超高功率密度和效率。通過將芯片作為獨立組件或與功率模塊中的硅功率器件結合,可以實現這些目標。特別是碳化硅二極管,它是進一步擴展 IGBT技術的重要部分。
由于存儲電荷少,所以可以顯著降低現代 IGBT 的導通損耗,因此與相應的純硅基解決方案相比,可以實現更高的開關頻率和/或更高的電流處理能力。

選型指南

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評估板允許進行雙脈沖測量以及DC / DC轉換器的功能測試。因此,該板設計為雙向降壓 - 升壓轉換器。
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